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電気専門用語集(WEB版)





用語集No. 9


用語番号用語
1.00 一般
1.01パワーエレクトロニクス
1.02〔電子〕デバイス
1.03〔電子〕バルブデバイス
1.04〔電子〕〔電力〕変換
1.05〔電子〕電力開閉
1.06〔電子〕交直〔電力〕変換
1.07〔電子〕〔電力〕順変換
1.08〔電子〕〔電力〕逆変換
1.09〔電子〕交流〔電力〕変換
1.10〔電子〕直流〔電力〕変換
1.11直接〔電力〕変換
1.12間接〔電力〕変換
2.00 半導体電力変換装置と半導体スイッチ
2.01〔半導体〕〔電カ〕変換装置、〔半導体〕〔パワー〕コンバータ〔装置〕
2.02交直変換装置
2.03電圧形〔交直〕変換装置
2.04電流形〔交直〕変換装置
2.05順変換装置
2.06逆変換装置、インバータ〔装置〕
2.07交流変換装置
2.08直接交流変換装置
2.09間接交流変換装置
2.10周波数変換装置
2.11サイクロコンバータ
2.12相数変換装置
2.13交流電力調整装置
2.14直流変換装置
2.15直接直流変換装置、〔直流〕チョッパ〔装置〕
2.16間接直流変換装置
2.17フォワードコンバータ
2.18フライバックコンバータ
2.19降圧チョッパ、バックコンバータ
2.20昇圧チョッパ、ブーストコンバータ
2.21昇降圧チョッパ
2.22他励変換装置
2.23自励変換装置
2.24多重〔接続〕変換装置
2.25共振形変換装置
2.26一象限変換装置
2.27二象限変換装置
2.28四象限変換装置
2.29可逆変換装置
2.30単変換装置
2.31複変換装置
2.32変換部(複変換装置の)
2.33半導体〔電力〕スイッチ
2.34〔半導体〕交流〔電力〕スイッチ
2.35〔半導体〕直流〔電力〕スイッチ
2.36半導体遮断器
2.37〔静止形〕無効電力補償装置
2.38アクティブ〔パワー〕フィルタ、〔電力用〕アクティブフィルタ
2.39〔半導体〕無停電電源装置
2.40〔半導体〕可変速駆動装置
2.41〔半導体〕交流可変速駆動装置
2.42〔半導体〕直流可変速駆動装置
2.43スイッチングレギュレータ
3.00 構成要素
3.01〔半導体〕〔バルブ〕デバイス
3.02非可制御〔バルブ〕デバイス
3.03可制御〔バルブ〕デバイス
3.04オン制御〔バルブ〕デバイス
3.05オンオフ制御〔バルブ〕デバイス
3.06ラッチ形〔バルブ〕デバイス
3.07非ラッチ形〔バルブ〕デバイス
3.08逆阻止〔バルブ〕デバイス
3.09非逆阻止〔バルブ〕デバイス
3.10〔半導体〕〔バルブデバイス〕スタック
3.11〔半導体〕〔バルブデバイス〕アセンブリ
3.12〔半導体〕〔電力〕変換器
3.13交直変換器
3.14変換装置用変圧器
3.15直流巻線(変換装置用変圧器の)
3.16交流巻線(変換装置用変圧器の)
3.17〔変換装置用〕交流リアクトル
3.18相間リアクトル
3.19バルブリアクトル
3.20転流リアクトル
3.21直流リアクトル
3.22転流コンデンサ
3.23直流コンデンサ
3.24直流フィルタ
3.25交流フィルタ
3.26サージアブソーバ(半導体電力変換装置の)
3.27スナバ
3.28電圧スナバ
3.29電流スナバ
3.30非対称スナバ
3.31スナバコンデンサ
3.32スナバ抵抗
3.33スナバダイオード
3.34電流バランサ
3.35ゲート駆動装置
3.36主端子(バルブデバイスの)
3.37制御端子(バルブデバイスの)
3.38pn接合
3.39ショットキー接合
3.40〔半導体〕〔整流〕ダイオード
3.41サイリスタ
3.42〔逆阻止〕〔三端子〕サイリスタ
3.43逆導通サイリスタ
3.44トライアック、双方向性〔三端子〕サイリスタ
3.45〔ゲート〕ターンオフサイリスタ、GTO
3.46パワートランジスタ(パワーエレクトロニクスに用いる)、〔スイッチング〕パワートランジス夕
3.47〔バイポーラ〕パワートランジスタ、BJT
3.48絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、IGBT
3.49MOS形電界効果パワートランジスタ、パワーMOSFET
3.50パワーモジュール
4.00 回路
4.01〔バルブ〕アーム
4.02主アーム
4.03補助アーム
4.04バイパスアーム
4.05環流アーム、フリーホイーリングアーム
4.06ターンオフアーム
4.07回生アーム
4.08アーム対
4.09逆並列〔アーム〕対
4.10レグ(ブリッジ接続またはマルチレベル接続の)
4.11変換接続
4.12基本変換接続
4.13単向接続
4.14双向接続
4.15ブリッジ接続
4.16均ーブリッジ〔接続〕
4.17混合ブリッジ〔接続〕
4.18均一〔アーム〕接続
4.19混合〔アーム〕接続
4.20多重接続
4.21十字接続
4.22逆並列接続
4.23直列接続
4.24昇降圧接続
4.25段(直列接続の)
4.26マルチレベル接続
5.00 動作
5.01転流
5.02転流回路
5.03転流電圧
5.04転流インダクタンス
5.05転流リアクタンス(他励変換装置の)
5.06直接転流
5.07間接転流
5.08他励〔転流〕
5.09電源転流
5.10負荷転流
5.11回転機転流
5.12共振負荷転流
5.13自励〔転流〕
5.14デバイス転流
5.15コンデンサ転流
5.16順次転流
5.17消流
5.18デバイス消流
5.19外部消流
5.20消流電圧
5.21飛躍逆電圧
5.22転流ノッチ
5.23転流群
5.24転流数(転流群の)
5.25素周波数
5.26素周期
5.27通流期間(アームの)
5.28非通流期間(アームの)
5.29逆阻止期間
5.30オフ状態期間
5.31パルス数
5.32〔PWM〕パルス数(自励電圧形変換装置の)
5.33〔リプル〕合成周波数(チョッパの)
5.34位相制御
5.35対称〔位相〕制御
5.36非対称〔位相〕制御
5.37順序〔位相〕制御(直列接続の)
5.38パルス振幅制御
5.39パルス制御
5.40パルス幅制御
5.41パルス周波数制御
5.42パルス幅変調制御、PWM制御
5.43サイクル制御
5.44卜リガ
5.45ターンオン(可制御バルブデバイスの)
5.46ターンオフ(可制御バルブデバイスの)
5.47ソフトスイッチング
5.48ハードスイッチング
5.49〔バルブデバイス〕ブロック
5.50〔バルブデバイス〕デブロック
5.51ゲートシフト
5.52制御角
5.53電流遅れ角(交流電力調整装置の)
5.54〔制御〕遅れ角
5.55〔制御〕進み角
5.56固有遅れ角
5.57転流期間
5.58重なり角
5.59〔転流〕余裕角(他励変換装置の)
5.60ホールドオフ期間
5.61通流率
5.62〔電圧〕制御率(他励変換装置の)
5.63サイクル制御率
5.64パルス幅制御率
6.00 半導体バルブデバイスの特性
6.01順方向
6.02逆方向
6.03主電圧
6.04主電流
6.05主〔電圧-電流〕特性
6.06オン状態
6.07オフ状態
6.08逆阻止状態
6.09順電圧
6.10オン電圧
6.11立上り電圧(ダイオード・サイリスタ・GTOの)
6.12スロープ抵抗(ダイオード・サイリスタ・GTOの)
6.13ブレークオーバ〔点〕
6.14ブレークオーバ電流
6.15ブレークオーバ電圧
6.16オフ電圧
6.17ピーク動作オフ電圧
6.18ピーク繰返しオフ電圧
6.19ピーク非繰返しオフ電圧
6.20逆電圧
6.21ピーク動作逆電圧
6.22ピーク繰返し逆電圧
6.23ピーク非繰返し逆電圧
6.24〔逆〕降伏
6.25〔逆〕降伏電圧゜
6.26順電流
6.27オン電流
6.28可制御オン電流(GTOの)
6.29ピーク繰返しオン電流
6.30サージオン電流(サイリスタ・GTOの)
6.31保持電流(サイリスタ・GTOの)
6.32ラッチング電流(サイリスタ・GTOの)
6.33オフ電流
6.34逆電流
6.35逆回復電流
6.36逆阻止電流
6.37臨界〔オン〕電流上昇率(サイリスタ・GTOの)
6.38臨界〔オフ〕電圧上昇率(サイリスタ・GTOの)
6.39制御電圧
6.40ゲート順電圧(サイリスタ・GTOの)
6.41ゲート逆電圧(サイリスタ・GTOの)
6.42ゲート逆降伏電圧(サイリスタ・GTOの)
6.43制御電流
6.44ゲート電流(サイリスタ・GTOの)
6.45ゲート順電流(サイリスタ・GTOの)
6.46ベース電流(パワートランジスタの)
6.47ゲート逆電流(サイリスタ・GTOの)
6.48ゲートターンオフ電流(GTOの)
6.49ゲートトリガ電圧(サイリスタ・GTOの)
6.50ゲート非トリガ電圧(サイリスタ・GTOの)
6.51しきい値電圧(IGBT・パワーMOSFETのゲートの)
6.52ゲートトリガ電流(サイリスタ・GTOの)
6.53ゲート非トリガ電流(サイリスタ・GTOの)
6.54〔ゲート制御〕ターンオン時間(サイリスタ・GTOの)
6.55〔ゲート制御〕遅れ時間(サイリスタ・GTOの)
6.56〔ゲート制御〕立上り時間(サイリスタ・GTOの)
6.57〔転流〕ターンオフ時間(サイリスタの)
6.58〔ゲート制御〕ターンオフ時間(GTOの)
6.59〔ゲート制御〕蓄積時間(GTOの)
6.60〔ゲート制御〕下降時間(GTOの)
6.61〔ゲート制御〕テイル時間(GTOの)
6.62ターンオン時間(IGBT・パワーMOSFETの)
6.63ターンオン遅れ時間(IGBT・パワーMOSFETの)
6.64上昇時間(IGBT・パワ-MOSFETの)
6.65ターンオフ時間(IGBT・パワーMOSFETの)
6.66ターンオフ遅れ時間(IGBT・パワーMOSFETの)
6.67下降時間(IGBT・パワーMOSFETの)
6.68順損〔失〕
6.69オン〔状態〕損〔失〕
6.70コレクタ損〔失〕(パワートランジスタ・IGBTの)
6.71ドレイン損〔失〕(パワーMOSFETの)
6.72オフ〔状態〕損〔失〕
6.73逆損〔失〕
6.74スイッチング損〔失〕
6.75ターンオン損〔失〕
6.76ターンオフ損〔失〕
6.77ゲート損〔失〕(サイリスタ・GTOの)
6.78熱抵抗
6.79過渡熱インピーダンス
6.80〔見掛けの〕接合温度
6.81活性領域(パワートランジスタの)
6.82遮断領域(パワートランジスタの)
6.83飽和領域(パワートランジスタの)
6.84降伏領域(パワートランジスタの)
6.85電流増幅率(パワートランジスタの)
6.86安全動作領域(パワートランジスタ・IGBT・パワーMOSFETの)
7.00 特性
7.01総合力率
7.02基本波力率
7.03基本波率
7.04高調波〔含有量〕
7.05〔総合〕高調波含有率、THF
7.06〔総合〕〔高調波〕ひずみ率、THD
7.07n次〔高〕調波比
7.08〔高調波〕次数
7.09基本波電力
7.10直流電力
7.11〔電力〕〔変換〕効率
7.12変換率
7.13電圧変換率(直流変換装置の)
7.14理想無負荷直流電圧
7.15等価内部抵抗(変換装置用変圧器の)
7.16規約無負荷直流電圧
7.17臨界電流(他励変換装置の)
7.18脈動波
7.19リプル〔含有量〕
7.20n次〔高〕調波脈動率
7.21総合脈動率
7.22振幅脈動率
7.23不平衡比(三相量における)
7.24不平衡率(三相量における)
8.00 その他
8.01転流失敗
8.02ターンオフ失敗
8.03コンダクションスルー
8.04ブレークスルー
8.05誤ターンオン
8.06ターンオン失敗
8.07ブレークダウン(バルブデバイスまたはアームの)
8.08自冷
8.09風冷
8.10水冷
8.11油冷
8.12蒸発冷却

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