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電気専門用語集（WEB版）

用語集No.：　9 用語番号 3.48 用語 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、IGBT 読み ぜつえんげーとばいぽーらとらんじすた、あいじーびーてぃー 英語 insulated gate bipolar transistor,IGBT 定義 MOSFETを入力段とし、バイポーラパワートランジスタを出力段とするダーリントン接続の構造を同一の半導体基板上に構成したパワートランジスタであって、コレクタ・エミッタ・ゲートをもち、ゲート・エミッタ間の電圧によりオン状態・オフ状態の双方向に可制御の非ラッチ形半導体バルブデバイス。 備考

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