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用語集No.： 9
| 用語番号 | 3.48 |
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| 用語 | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、IGBT |
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| 読み | ぜつえんげーとばいぽーらとらんじすた、あいじーびーてぃー |
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| 英語 | insulated gate bipolar transistor,IGBT |
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| 定義 | MOSFETを入力段とし、バイポーラパワートランジスタを出力段とするダーリントン接続の構造を同一の半導体基板上に構成したパワートランジスタであって、コレクタ・エミッタ・ゲートをもち、ゲート・エミッタ間の電圧によりオン状態・オフ状態の双方向に可制御の非ラッチ形半導体バルブデバイス。 |
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| 備考 | |
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